ʻO ka Polysilicon kahi mea koʻikoʻi sputtering target.ʻO ka hoʻohana ʻana i ke ala magnetron sputtering e hoʻomākaukau ai iā SiO2 a me nā kiʻi ʻoniʻoni ʻē aʻe e hiki ke hana i ka mea matrix i ʻoi aku ka maikaʻi o ka optical, dielectric a me ka corrosion resistance, i hoʻohana nui ʻia i ka pā paʻi, optical a me nā ʻoihana ʻē aʻe.
ʻO ke kaʻina hana o ka hoʻolei ʻana i nā kristal lōʻihi e hoʻomaopopo i ka paʻa ʻana o ka silika wai mai ka lalo a i luna me ka hoʻomalu pono ʻana i ka mahana o ka mea hoʻomehana i ke kahua wela o ka umu ingot a me ka dissipation wela o ka mea insulation thermal, a me ka ʻO ka paʻa ʻana o nā kristal lōʻihi he 0.8 ~ 1.2cm / h.I ka manawa like, i ke kaʻina o ka hoʻopaʻa ʻana i ke kuhikuhi, hiki ke ʻike ʻia ka hopena hoʻokaʻawale o nā mea metala i loko o nā mea silika, hiki ke hoʻomaʻemaʻe ʻia ka hapa nui o nā mea metala, a hiki ke hoʻokumu ʻia kahi ʻano huaʻai silika polycrystalline.
Pono e hoʻolei ʻia ka polysilicon me ka manaʻo i ka doped i loko o ke kaʻina hana, i mea e hoʻololi ai i ka neʻe ʻana o nā haumia acceptor i ka hoʻoheheʻe silika.ʻO ka dopant nui o ka p-type cast polysilicon i ka ʻoihana he silicon boron master alloy, kahi o ka boron ma kahi o 0.025%.Hoʻoholo ʻia ka nui o ka doping ma muli o ka resistivity target o ka wafer silika.ʻO ka resistivity maikaʻi loa ʻo 0.02 ~ 0.05 Ω • cm, a ʻo ka nui o ka boron e pili ana ma kahi o 2 × 1014cm-3. Eia naʻe, ʻo ka segregation coefficient o boron i loko o ke silika he 0.8, e hōʻike ana i kekahi hopena segregation i ke kaʻina hana solidification kuhikuhi. ʻo ia, ua puʻunaue ʻia ka mea boron i kahi gradient ma ka ʻaoʻao kū pololei o ka ingot, a e emi mālie ka resistivity mai lalo a luna o ka ingot.
Ka manawa hoʻouna: Iulai-26-2022